二极管提供更快的开关速度和更低的开关损耗
更新时间: 2019-09-09

  发布时间:2019年09月08日 16:09 发布者:ningxueqin

  安森美半导体的FFSB10120A和FFSB20120A是1,200V肖特基二极管,采用宽带隙碳化硅(SiC)材料制成,与同等硅二极管相比,具有出色的开关性能和更高的可靠性。FFSB10120A提供最大10A输出电流,FFSB20120A的额定电流为20A。下面简单来了解一下相关的知识。

  SiC二极管引起的开关损耗远低于硅二极管,因为SiC二极管几乎没有反向恢复电荷或时间。SiC基二极管的热特性对电源系统设计人员也非常有吸引力:开关特性在工作温度范围内保持恒定,FFSBx0120A二极管的最高结温为175°C。

  快速开关能力、极低开关损耗和高温操作相结合,意味着电源系统设计人员可以实现非常高的效率和高功率密度。快速开关使其能够使用更小的电感器和电容器,并且高温能力可以减少或消除对冷却装置的需求。

  高浪涌电流容量意味着安森美半导体的这些SiC二极管能够在正向偏置模式下传导更多电流。

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